缓冲电源半桥
栅极驱动器
当作为一个MOSFET的栅极驱动器中，突破性使用
之前，使贯通保护显著
减少了与驾驶员在高相关的损失
频率。 （见图2）。
在低R
DS （ ON）
的输出级，可为一
高的峰值栅极电流和快速开关速度。
小封装尺寸便于接近的位置，以
为最佳的开关电源设备perform-
ANCE 。的逻辑电平输入（CLK和EN ）是高
阻抗输入。
栅极驱动电流额定值
最大栅极驱动能力的估计
没有外部串联电阻可以从派生
式（7）注意，静态电流变化
与环境温度，频率操作的
灰，和输入电压。下面显示的图表
静态电流和最大栅极电荷
在85℃的环境对频率的驱动能力
各种输入电压。
1
T
J（下最大）
- T
AMB
式。 7 ：
Q
克（最大）
=
·
θ
·V
- I
Q
F
S
JA IN （MAX）
1
120°C - 85°C
= 1MHz的
·
190°C/W
·
4.2V - 3.2毫安
= 40nC
栅极电荷（ NC）
1000
AAT4900
静态电流，测过
温度对不同的输入电压，在无负载
连接。式（7） ，然后用于导出
为所要求的最大栅极电荷能力
最高结温。 Q
G
是栅
的电荷需要提高负载的栅极MOSFET导
FET的输入电压。此值是从
在MOSFET制造商的栅极电荷曲线。
无负载工作电流在85 ° C环境
100
工作电流（mA ）
V
IN
= 4.2V
10
V
IN
= 5.0V
V
IN
= 5.5V
V
IN
= 2.7V
1
0.1
100
1000
10000
频率（kHz ）
最大栅极电荷负载@ 85°C
（牛逼环境
J（下最大）
= 120°C)
V
IN
= 2.7V
100
V
IN
= 4.2V
10
V
IN
= 5.0V
1
100
V
IN
= 5.5V
1000
10000
频率（kHz ）
+5V
负载
电路
IN
启用
EN
AAT4900
时钟
CLK
GND
地
LX
图2 ： AAT4900栅极驱动器配置。
4900.2006.05.1.3
9
