位置:首页 > IC型号导航 > 首字符X型号页 > 首字符X的型号第0页 > XC6118N08DMR-G > XC6118N08DMR-G PDF资料 > XC6118N08DMR-G PDF资料1第16页

XC6118
系列
Typical
性能特性(续)
( 10 )延迟电阻与环境温度
( 11 )解除延迟时间与延迟电容
XC6118C25Ax
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
-50
XC6118C25Ax
解除延迟时间: TDR (毫秒)
Ta=25
℃
10000
1000
100
10
1
0.1
0.0001
VIN=1.0V
3.0V
6.0V
VSEN = 6.0V VCD = 0.0V VIN = 5.0V
延时性: RDELAY (M
Ω
)
t
DR
=Cd×2.0×10
6
×0.69
0.001
0.01
0.1
1
-25
0
25
50
75
100
环境温度: TA(
℃
)
延迟电容:镉(
μ
F)
( 12 )检测延迟时间与延迟电容
( 13 )漏电流与环境温度
XC6118N25Ax
XC6118C25Ax
Ta=25
℃
VIN = VSEN = 6.0V VOUT = 6.0V
检测延迟时间: TDF (
μ
s)
1000
4.0V
100
3.0V
漏电流: ILEAK (
μ
A)
1
VIN=6.0V
0.25
0.20
10
1.0V
1
0.0001
2.0V
0.15
0.10
-50
-25
0
25
50
75
100
0.001
0.01
0.1
延迟电容:镉(
μ
F)
环境温度: TA(
℃
)
( 14 )漏电流与电源电压
XC6118N25Ax
VIN=VSEN=6.0V
0.25
漏电流: ILEAK (
μ
A)
0.20
0.15
0.10
0
1
2
3
4
5
6
输出电压: VOUT (V )
16/20