EDE1104AFSE ， EDE1108AFSE
DDR2 SDRAM扩展模式寄存器设置[ EMRS ]
EMRS （ 1 ）编程
扩展模式寄存器（ 1）存储用于启用或禁用该DLL ，输出驱动强度，添加剂中的数据
延迟， ODT ， / DQS禁用， OCD程序， RDQS启用。扩展模式寄存器的缺省值（1）是
没有定义，因此在扩展模式寄存器（ 1 ）必须写上电后正常运行。该
扩展模式寄存器（ 1 ）写的是主张低/ CS ， / RAS ， / CAS ， / WE ，高BA0和低BA1 ， BA2
同时控制的地址引脚A0各州A13 。在DDR2 SDRAM应在所有银行预充电与CKE
已经很高写入扩展模式寄存器（ 1 ）之前。该模式寄存器设定指令周期时间（超过tMRD ）
必须满足以完成写入操作，以扩展模式寄存器（ 1） 。模式寄存器的内容可以是
使用正常操作期间相同的命令和时钟周期的要求，只要所有银行在改变
预充电状态。 A0是用于DLL使能或禁用。 A1被用于使一个半强度的输出驱动器。 A3
到A5决定附加延迟， A7到A9用于OCD控制， A10用于/ DQS禁用和A11是
用于RDQS启用。 A2和A6的用于ODT设置。
BA2
BA1
BA0
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
地址栏
0
0
1
0*
1
QOFF RDQS
/ DQS
OCD计划
RTT
附加延迟
RTT
D.I.C
DLL
扩展模式寄存器
BA2 BA1
BA0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
1
MRS模式
太太
EMRS(1)
EMRS(2)
EMRS （ 3 ） ：保留
A6
0
0
1
1
A2
0
1
0
1
RTT （标称）
ODT残疾人
75
150
50
A0
0
1
DLL使能
启用
关闭
驱动器阻抗调整
A9
0
0
0
1
1
A12
0
1
QOFF *
4
输出缓冲器启用
输出缓冲器被禁用
A8
0
0
1
0
1
A7
0
1
0
0
1
Drive(1)
Drive(0)
手术
OCD校准模式退出
附加延迟
A5
0
0
0
0
1
1
1
1
A4
0
0
1
1
0
0
1
1
A3
0
1
0
1
0
1
0
1
潜伏期
0
1
2
3
4
5
版权所有
版权所有
调节模式*
2
OCD校准默认*
3
A10
0
1
/ DQS支持
启用
关闭
驱动力控制
输出驱动器
司机
SIZE
100%
60%
A1
0
1
A11
（ RDQS使能）
0 （禁用）
0 （禁用）
1 （启用）
1 （启用）
A10
0 （启用）
1 （禁用）
0 （启用）
1 （禁用）
DM
DM
RDQS
RDQS
A11
0
1
RDQS启用
关闭
启用
阻抗控制
正常
弱
频闪功能矩阵
（ / DQS使能） RDQS / DM
/ RDQS
高-Z
高-Z
/ RDQS
高-Z
的DQ
的DQ
的DQ
的DQ
的DQ
/ DQS
/ DQS
高-Z
/ DQS
高-Z
注释：1 A13被保留以供将来使用，和设置在扩展模式寄存器时必须被编程为0 。
2当调节模式，从预先设定的价格发行， AL必须应用。
3.设置为默认设置后， OCD模式需要通过设置A9至A7为000退出。
请参见片外驱动器（ OCD）阻抗调整的详细信息。
4.禁止输出 - DQ ， DQS ， / DQS ， RDQS ， / RDQS 。此功能可与DIMM相结合
要包括当IDDQ不期望IDD测量。
EMRS （1）
数据表E1390E30 （版本3.0 ）
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