NTD6416AN
N沟道功率MOSFET
100 V， 17 A， 81毫瓦
特点
低R
DS （ ON）
高电流能力
100％的雪崩测试
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
http://onsemi.com
I
D
最大
（注1 ）
17 A
V
（ BR ） DSS
100 V
R
DS （ ON）
最大
81毫瓦@ 10 V
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续
连续漏极
当前
功耗
漏电流脉冲
稳定
状态
稳定
状态
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
E
AS
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
100
$20
17
11
71
62
55
to
+175
17
43
W
单位
V
V
A
N沟道
D
G
A
°C
A
mJ
1 2
4
1
3
S
4
t
p
= 10
ms
工作和存储温度范围
源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 50伏，V
GS
= 10 VDC ，
I
L（ PK）
= 17 A，L = 0.3 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
T
L
260
°C
热电阻额定值
参数
结至外壳（漏）稳态
结到环境（注1 ）
符号
R
QJC
R
qJA
最大
2.1
40
单位
° C / W
DPAK
CASE 369AA
方式2
3
IPAK
CASE 369D
方式2
2
YWW
64
16ANG
1
门
2
漏
3
来源
YWW
64
16ANG
1
门
2
漏
3
来源
出版订单号：
NTD6416AN/D
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装用1平方英寸焊盘尺寸FR4板，
（铜面积1.127平方[ 2盎司]包括痕迹） 。
标记图
＆放大器;引脚分配
4漏
4漏
6416AN
Y
WW
G
=器件代码
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年11月
第0版
1
