位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第309页 > NTD6414AN-1G > NTD6414AN-1G PDF资料 > NTD6414AN-1G PDF资料1第3页
NTD6414AN
典型特征
70
60
I
D
，漏电流（ A）
50
40
30
20
5.0 V
10
0
0
1
2
3
4
4.5 V
5
5.5 V
70
6.5 V
I
D
，漏电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
T
J
=
55°C
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
V
DS
w
10 V
T
J
= 25°C
10 V
7.5 V
6.0 V
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.区域特征
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
I
D
= 32 A
T
J
= 25°C
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.10
图2.传输特性
V
GS
= 10 V
0.08
0.06
0.04
0.02
T
J
=
55°C
0.00
10
15
20
25
30
35
T
J
= 175°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
5
6
7
8
9
10
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
图3.在区域与栅极电压
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
10000
3
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
2.5
2
I
D
= 32 A
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
1.5
1
100
T
J
= 125°C
0.5
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
图5.导通电阻变化与
温度
T
J
，结温（ ° C）
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
http://onsemi.com
3
