EDE1108AFBG
掉电[ PDEN ]
掉电同步输入时， CKE登记较低（与NOP或取消命令） 。 CKE是
不许变低，而模式寄存器或扩展模式寄存器命令的时间，或读或写操作时
进展情况。 CKE被允许变低，而任何其它的操作，例如行激活，预充电或自动的
预充电或自动刷新是在进步，但掉电IDD规范将不会被应用到这些整理
操作。时序图如图详细为进入掉电以下页面。
该DLL应该是处于锁定状态时掉电输入。否则， DLL应该退出后复位
关断模式下为正确的读操作。
如果当所有银行都空闲时掉电，这种模式被称为预充电电源关闭;如果掉电
发生时，有一排活性的任何银行，这种模式被称为有源掉电。进入掉电
停用的输入和输出缓冲器，不含CK， / CK ， ODT和CKE 。同时该DLL在进入禁用
预充电电源关闭或缓慢退出主动断电，但DLL中快速退出积极加电时保持开启
下来。在关断模式下， CKE低和稳定的时钟信号必须保持在DDR2的投入
SDRAM和ODT应该是一个有效的状态，但所有其它输入信号“不关心” 。 CKE低必须
保持，直到tCKE已被满足。断电持续时间由9倍的设备的tREFI限制。
当CKE注册HIGH （连同NOP或取消关机状态同步退出
命令）。必须保持CKE为高电平，直到tCKE已经满足了。一个有效的，可执行的命令即可
采用具有掉电退出延时， TXP ， tXARD ，或tXARDS后CKE变高。掉电退出延迟
在此数据表的交流特性表中定义的。
CK
/ CK
CKE
TIS TIH
TIS TIH
TIH
TIS
TIH
TIS TIH
命令
有效
NOP
NOP
有效
有效
有效
tCKE分钟
TXP ， tXARD ，
tXARDS
tCKE分钟
退出掉电模式
VIH或VIL
进入掉电模式
掉电
阅读掉电输入
T0
/ CK
CK
命令
VIH
读
T1
T2
Tx
Tx+1
Tx+2
Tx+3
Tx+4
Tx+5
Tx+6
Tx+7
Tx+8
Tx+9
读操作开始读命令和
CKE保持高电平直到突发操作结束。
CKE
的DQ
/ DQS
AL + CL
DQ
OUT
0
OUT
1
OUT
2
OUT
3
BL=4
T0
T1
T2
Tx
Tx+1
Tx+2
Tx+3
Tx+4
Tx+5
Tx+6
Tx+7
Tx+8
Tx+9
命令
VIH
读
CKE保持高电平直到突发操作结束。
CKE
的DQ
/ DQS
AL + CL
DQ
OUT
0
搞出来
1
2
OUT
3
OUT
4
搞出来
5
6
OUT
7
BL=8
初步数据表E1430E20 （版本2.0 ）
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