CHENMKO ENTERPRISE CO。 ， LTD。
表面贴装
P沟道增强型场效应晶体管
电压60伏特
应用
*伺服电机控制。
*功率MOSFET栅极驱动器。
*其他开关应用。
CHM6861JPT
当前3.5安培
特征
*小型扁平封装。 （ SO - 8 ）
*超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
*高功率和电流移交能力。
*无铅产品被收购。
8
1
SO-8
4.06 (0.160)
3.70 (0.146)
施工
* P沟道增强
5.00 (0.197)
4.69 (0.185)
4
5
.51 (0.020)
.10 (0.012)
1.27 （ 0.05 ）， BSC
1.75 (0.069)
1.35 (0.053)
.25 (0.010)
.05 (0.002)
.25 (0.010)
.17 (0.007)
6.20 (0.244)
5.80 (0.228)
电路
8
D D
D
D
5
1
S S
S
G
4
单位：毫米
SO-8
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
CHM6861JPT
单位
V
DSS
V
GSS
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流 - 连续
-60
V
V
±
20
-3.5
I
D
- 脉冲
P
D
T
J
T
英镑
最大功率耗散
工作温度范围
存储温度范围
（注3）
A
-15
2500
-55到150
-55到150
mW
°C
°C
注： 1.表面安装在FR4板，T < = 10秒
2.脉冲测试，脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％
3.重复评级，脉冲宽度linited由最高结温
4.设计保证，不受生产trsting
热特性
R
θ
JA
热阻，结到环境
（注1 ）
50
° C / W
2006-02
