NTF6P02T3
功率MOSFET
-10安培，伏特-20
P沟道SOT- 223
特点
http://onsemi.com
低R
DS （ ON）
逻辑电平栅极驱动器
二极管具有高转速，软恢复
较高的雪崩能量
无铅包装是否可用
10
安培
20
伏
R
DS （ ON）
= 44毫瓦（典型值）。
S
典型应用
在便携设备和电池供电产品的电源管理，
如：蜂窝电话和无绳电话和PCMCIA卡
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（注1 ）
连续@ T
A
= 25°C
连续@ T
A
= 70°C
单脉冲（T
p
= 10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
=
20
VDC ，V
GS
=
5.0
VDC ，
I
L（ PK）
=
10
A，L = 3.0 mH的，R
G
= 25W)
热阻
交界处领导（注1 ）
结到环境（注2 ）
结到环境（注3 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
D
价值
20
±8.0
10
8.4
35
8.3
55
to
+150
150
单位
VDC
VDC
ADC
APK
W
°C
mJ
1
2
3
G
D
P沟道MOSFET
标记图
＆放大器;引脚分配
4
漏
4
AYW
6P02G
G
1
门
2
3
漏源
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
SOT223
CASE 318E
方式3
R
qJL
R
qJA
R
qJA
T
L
15
71.4
160
260
° C / W
°C
A
=大会地点
Y
=年
W
=工作周
6P02
=具体设备守则
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.稳态。
2.表面安装用1 “垫尺寸为FR4板，
（铜，面积1.127平方英寸） ，稳态。
3.表面贴装的FR4板采用最小建议垫
尺寸（铜，面积0.412平方英寸） ，稳态。
订购信息
设备
NTF6P02T3
NTF6P02T3G
包
SOT223
航运
4000 /磁带&卷轴
SOT- 223 4000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年1月
第3版
1
出版订单号：
NTF6P02T3/D
