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ISL62884C
材料的参考设计草案
数量
1
1
1
2
1
1
2
1
2
1
1
1
8
参考
C11
C12
C13
C16, C22
C18
C20
C17, C30
C24
C27, C33
C3
C52
C4
C40, C41, C54-
C56, C59-C61
价值
330pF
1F
0.1F
0.1F
56F
10F
150pF
330F
描述
多层帽， 16V ， 10 ％
多层帽， 16V ， 20 ％
多层帽， 16V ， 10 ％
多层帽， 16V ， 10 ％
生产厂家
通用
通用
通用
通用
通用
通用
通用
通用
通用
松下
基美
通用
太阳
村田
京瓷
TDK
通用
产品型号
H1045-00272-16V10
H1045-00331-16V10
H1045-00102-16V10
H1045-00105-16V20
H1045-00104-16V10
H1045-00104-16V10
H1045-00224-25V10
25SP56M
H1065-00106-25V20
H1045-00151-16V10
EEXSX0D331E4
T520V337M2R5A(1)E4R5-6666
H1045-00102-16V10
JMK212BJ106MG-T
GRM21BR60J106ME19
CM21X5R106M06AT
C2012X5R0J106MT009N
H1045-00820-16V10
SM0603
SM0603
SM0805
包
SM0603
SM0603
SM0603
SM0603
SM0603
SM0603
SM0603
CASE -CC
SM1206
SM0603
2700pF多层帽， 16V ， 10 ％
1000pF的多层帽， 16V ， 10 ％
0.22μF多层帽， 25V ， 10 ％
多层帽， 25V ， 20 ％
多层帽， 16V ， 10 ％
SPCAP ，2V， 4MΩ
聚合物顶盖， 2.5V ， 4.5MΩ
1000pF的多层帽， 16V ， 10 ％
10F
多层盖， 6.3V ， 20 ％
径向SP系列帽， 25V ， 20 ％ SANYO
1
0
0
1
1
1
1
1
1
2
2
1
3
1
1
1
1
1
1
1
1
0
1
C6
C82
C39, C81, C83
L1
Q2
Q3
R10
R11
R16
R17, R18
R19, R23
R26
R20, R40, R56
R30
R37
R38
R41
R42
R6
R63
R7
R109, R110,
R4, R8, R9
U6
82pF
DNP
DNP
1.5H
多层帽， 16V ， 10 ％
电感，电感20％
DCR 10 ％
N沟道功率MOSFET
N沟道功率MOSFET
松下
IR
IR
通用
通用
通用
通用
通用
通用
通用
通用
通用
通用
通用
松下
通用
通用
通用
ETQP3M1R5YFN
IRF7821
IRF7832
H2511-02550-1/16W1
H2511-05760-1/16W1
H2511-01473-1/16W1
H2511-00100-1/16W1
H2511-01911-1/16W1
H2511-082R5-1/16W1
H2511-00R00-1/16W1
H2511-01911-1/16W1
H2511-01R00-1/16W1
H2511-01102-1/16W1
H2511-02611-1/16W1
ERT-J1VR103J
H2511-01002-1/16W1
H2511-01821-1/16W1
H2511-01913-1/16W1
6.5毫米X
6.5mm
PWRPAKSO8
PWRPAKSO8
SM0603
SM0603
SM0603
SM0603
SM0603
SM0603
SM0603
SM0603
SM0603
SM0603
SM0603
SM0603
SM0603
SM0805
SM0603
255
576
147k
10
1.91k
82.5
0
1.91k
1
11k
2.61k
10k
1.82k
191k
DNP
厚膜片式电阻器， 1 ％
厚膜片式电阻器， 1 ％
厚膜片式电阻器， 1 ％
厚膜片式电阻器， 1 ％
厚膜片式电阻器， 1 ％
厚膜片式电阻器， 1 ％
厚膜片式电阻器， 1 ％
厚膜片式电阻器， 1 ％
厚膜片式电阻器， 1 ％
厚膜片式电阻器， 1 ％
厚膜片式电阻器， 1 ％
厚膜片式电阻器， 1 ％
厚膜片式电阻器， 1 ％
厚膜片式电阻器， 1 ％
10K NTC热敏电阻器， NTC 10K
IMVP - 6 PWM控制器
Intersil公司
ISL62884CHRTZ
QFN-28
25
FN7591.0
2010年3月16日
