恩智浦半导体
BCM847BV/BS/DS
NPN / NPN匹配的双晶体管
热特性
- 续
参数
从热阻
结到环境
SOT666
SOT363
SOT457
条件
在自由空气
[1][2]
[1]
[1]
表7中。
符号
每个器件
R
号（j -a）的
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
416
416
328
K / W
K / W
K / W
[1]
[2]
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定编
符号
I
CBO
参数
集电极 - 基极截止
当前
条件
V
CB
= 30 V;
I
E
= 0 A
V
CB
= 30 V;
I
E
= 0 A;
T
j
= 150
°C
I
EBO
h
FE
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
V
EB
= 5 V;
I
C
= 0 A
V
CE
= 5 V;
I
C
= 10
A
V
CE
= 5 V;
I
C
= 2毫安
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= 10毫安;
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;
I
B
= 5毫安
V
BESAT
基射
饱和电压
I
C
= 10毫安;
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;
I
B
= 5毫安
V
BE
基射极电压
V
CE
= 5 V;
I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V;
I
C
= 10毫安
C
c
集电极电容
V
CB
= 10 V;
I
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
V
EB
= 0.5 V;
I
C
= i
c
= 0 A;
F = 1 MHz的
[1]
民
-
-
典型值
-
-
最大
15
5
单位
nA
A
每个晶体管
-
-
200
-
-
-
-
610
-
-
-
250
290
50
200
760
910
660
-
-
100
-
450
200
400
-
-
710
770
1.5
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
[1]
[2]
[2]
C
e
发射极电容
-
11
-
pF
BCM847BV_BS_DS_6
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 2009年8月28日
4 15
