RJK0383DPA
硅N沟道功率MOS FET与肖特基二极管
高速电源开关
REJ03G1723-0101
初步
Rev.1.01
2008年7月10日
特点
低导通电阻
能够4.5 V门极驱动
高密度安装
无铅
无卤
概要
WPAK
2
3
4
D1
D1
D1
9
S1/D2
5 6 7 8
1
G1
8
G2
9
S2
S2
S2
6
7
5
4 3 2 1
（底视图）
MOS1
MOS2 + SBD
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
评级
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
AP注2
E
AR注2
PCH
Note3
总胆固醇
TSTG
MOS1
30
±20
15
60
15
11
12.1
10
150
-55到+150
MOS2
30
±20
45
180
45
20
40
30
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°
C
°
C
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
3， TC = 25℃
REJ03G1723-0101 Rev.1.01 2008年7月10日
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