恩智浦半导体
74ABT821
10位D型佛罗里达州的ip-佛罗里达州运算;正边沿触发;三态
13.缩写
表9 。
缩写
BiCMOS工艺
DUT
ESD
HBM
MM
缩略语
描述
双极型互补金属氧化物半导体
在测试设备
静电放电
人体模型
机器型号
14.修订历史
表10 。
修订历史
发布日期
20100225
数据表状态
产品数据表
变更通知
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SUPERSEDES
74ABT821_2
文档ID
74ABT821_3
莫迪科幻阳离子：
这个数据表格式已重新设计，以符合新的身份指引
恩智浦半导体。
法律文本已适应了新的公司名称在适当情况下。
从DIP 24 （ SOT222-1 ）封装中删除
第3节“订货信息”
和
第12节
“包纲要” 。
产品speci fi cation
产品speci fi cation
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74ABT821
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74ABT821_2
74ABT821
20050412
19950906
74ABT821_3
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产品数据表
版本03 - 2010年2月25日
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