NTHD3133PF
功率MOSFET和
肖特基二极管
-20 V， FETKYt ， P沟道， -4.4 A，用
3.7肖特基势垒二极管， ChipFETt
特点
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MOSFET
V
（ BR ） DSS
-20 V
R
DS （ ON）
典型值
64毫瓦@ -4.5 V
85毫瓦@ -2.5 V
-4.4 A
I
D
最大
无管脚SMD封装，提供一个MOSFET和肖特基二极管
40 ％比TSOP - 6封装小
无管脚SMD封装提供了极大的热特性
独立的引出线为每个设备易于电路设计
海沟P沟道低导通电阻
超低V
F
肖特基
这些无铅器件
锂离子电池充电
高端DC-DC转换电路
高边驱动器的小型无刷直流电机
便携式，电池供电产品的电源管理
参数
符号
V
DSS
V
GS
稳定
状态
t
≤
5s
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
P
D
T
J
= 25°C
2.1
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
-13
-55
150
2.5
260
A
°C
A
°C
I
D
价值
-20
±8.0
-3.2
-2.3
-4.4
1.1
W
单位
V
V
A
肖特基二极管
V
R
最大
20 V
S
V
F
典型值
0.35 V
A
I
F
最大
3.7 A
应用
G
MOSFET的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
D
P沟道MOSFET
C
肖特基二极管
8
ChipFET
CASE 1206A
方式3
1
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
漏电流脉冲
t
p
= 10
ms
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
针
连接
1
8
记号
图
1
大M
G
2
3
4
8
7
6
5
A
2
7
C
C
6
A
S
3
肖特基二极管的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
反向重复峰值电压
阻断电压DC
平均整流
正向电流
稳定
状态
t
≤
5s
T
J
= 25°C
3.7
A
符号
V
RRM
V
R
I
F
价值
20
20
2.2
单位
V
V
V
D
D
4
5
G
DA =具体设备守则
M =月守则
G
= Pb-Free包装
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸
[ 1盎司]包括痕迹） 。
订购信息
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尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年10月 - 修订版0
出版订单号：
NTHD3133PF/D
