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初步
数据表
RJK0380DPA
硅N沟道功率MOS FET与肖特基二极管
REJ03G1827-0220
电源开关
Rev.2.20
2010年5月21日
特点
高速开关
能够4.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 2.4 m
（典型值） 。 （在V
GS
= 10 V)
无铅
无卤
概要
瑞萨封装代码： PWSN0008DC -A
（包名称： WPAK （ 2 ） ）
5 6 7 8
D D D D
5 6 7 8
4
G
4 3 2 1
1, 2, 3
来源
4
门
5，6， 7，8排水
S S S
1 2 3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
50
3， TC = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
AP注2
E
AR注2
PCH
Note3
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
30
20
45
180
45
25
62.5
50
2.5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
C
C
REJ03G1827-0220 Rev.2.20
2010年5月21日
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