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LTC3809-1
应用信息
典型LTC3809-1应用电路示于图
为控制器8.外部元件的选择驱动
通过负载要求，并开始用的选择
在电感器和功率MOSFET。
功率MOSFET选择
该LTC3809-1的控制器需要两个外接电源
MOSFET的： P沟道MOSFET的顶面（主）
开关和一个N沟道MOSFET的底部（同步的
理性）开关。主要的选择标准的权力
MOSFET是击穿电压V
BR （ DSS ）
，门槛
电压V
GS （ TH）
上，电阻R
DS （ ON）
，反向传输
电容C
RSS
，关断延时T
D（关闭）
总闸门
电荷Q
G
.
的栅极驱动电压的输入电源电压。自
在LTC3809-1是专为运作，了解低输入
电压，一个子逻辑电平MOSFET （R
DS （ ON）
在保证
V
GS
= 2.5V）是必需的工作接近应用
这个电压。当这些MOSFET采用，确保
输入电源向LTC3809-1小于绝对
最大的MOSFET V
GS
评级，这通常是8V 。
P沟道MOSFET的导通电阻是基于所拣选
在所要求的负载电流。最大平均负荷
电流I
输出（最大）
等于峰值电感器电流
减去一半的峰 - 峰值的纹波电流I
纹波
。该
LTC3809-1的电流比较器监视漏 -
源电压V
DS
顶端P沟道MOSFET ，它的
在V之间被检测
IN
和SW引脚。峰值电感
电流由电流阈值的限制，由电压设定
在我
TH
目前比较器引脚。上的电压
在我
TH
引脚被内部钳位，从而限制了最大
电流检测门限
ΔV
SENSE （ MAX）
约
125mV时IPRG是浮动（一个85mV时IPRG挂钩
低; 204mV的时候IPRG被拉高） 。
输出电流的LTC3809-1可以提供是
由下式给出：
Δ
V
SENSE （ MAX）
I
纹波
I
输出（ MAX）的
=
–
R
DS （ ON）
2
在那里我
纹波
是电感峰 - 峰纹波电流
（见电感值计算） 。
一个合理的起点设置纹波电流I
纹波
成为余40％
输出（最大）
。重新整理以上方程
收益率：
5
Δ
V
SENSE （ MAX）
R
DS （ ON）最大值
=
为占空比
＆ LT ;
20%
6
I
输出（ MAX）的
然而，对于上述操作20 ％的占空比，坡
补偿，必须考虑到选择
R的相应值
DS （ ON）
以提供所需的
量的负载电流：
Δ
V
SENSE （ MAX）
5
R
DS （ ON）最大值
=
= SF =
6
I
输出（ MAX）的
其中SF是标度因子，从得到的值
该曲线在图1中。
这些必须进一步降低以兼顾
显着的变化的导通电阻与温度。该
下列方程是用于确定重新很好的指导
quired
DS （ ON）最大值
在25℃ （制造商的特定网络连接的阳离子） ，
允许一些余量的变化，在LTC3809-1和
外部元件值：
Δ
V
SENSE （ MAX）
5
R
DS （ ON）最大值
=
0.9 SF
6
I
输出（ MAX）的
ρ
T
该
ρ
T
是一个归一化项占温度
变化的导通电阻，这通常为约0.4 ％/℃ ，
如示于图2结点到外壳温度T
JC
is
约10℃ ，在大多数应用中。最多雄心
耳鼻喉科温度为70 ° C，采用
ρ
80°C
在上述1.3
公式是合理的选择。
N沟道MOSFET的导通电阻是基于所拣选
在短路电流限制（我
SC
） 。该LTC3809-
1的短路电流限制比较器监视
漏极至源极电压V
DS
底部的N沟道的
的MOSFET ，它与GND和SW引脚之间的感测。
38091fc
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