AS4LC2M8S1
AS4LC1M16S1
写周期
t
WR
CLK
CMD
DQ
写数据
PRE
法案
D
0
D
1
D
2
D
3
Q
4
t
RP
写恢复
t
DPL
（BL = 4）
CLK
CMD
DQ
t
RP
写数据
PRE
t
DAL
D
0
D
1
D
2
D
3
法案
这个预充电隐含的情况下自动P写。
自动刷新波形
CLK
t
RP
CS
RAS
CAS
WE
A10
A0–A9
DQM
CKE
DQ
预充电两家银行自动刷新
t
RC
t
RC
自动刷新
自动刷新
22
半导体联盟
7/5/00
