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AT/T89C51CC02
图17 。
阅读过程
闪存空间阅读
闪存空间的映射
FCON = 00000aa0b
数据读取
DPTR =地址
ACC = 0
高管： MOVC A，@ A + DPTR
清除模式
FCON = 00H
注意：
AA = 10的硬件安全字节。
Flash保护从并行
程序设计
在硬件安全字节中的三个锁定位（参见“在系统编程”部分）
根据表24编程为导通提供不同级别的保护
芯片的代码，位于FM0和FM1数据。
写的唯一途径此位是并行模式。他们被默认设置为3级。
表24中。
程序锁定位
程序锁定位
安全
水平
1
2
3
4
LB0
U
P
U
U
LB1
U
U
P
U
LB2
U
U
U
P
保护内容
没有程序锁功能启用。
对Flash的并行编程被禁止。
一样的2 ，也可通过并行编程接口验证是
禁用。这是出厂defaul编程。
同3
注意：
1.程序锁定位
U：未编程
P：编程
警告：安全级别2 ， 3和4应该仅限于Flash和Core之后进行编程
VERI网络阳离子。
防止Flash损毁
见“电源管理” 。
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4126L–CAN–01/08
