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LTC3788-1
应用信息
INTV
CC
稳压器
该LTC3788-1具有两个独立的内部P沟道
低压差线性稳压器（ LDO）的供电，在
该INTV
CC
销无论从VBIAS电源引脚或
EXTV
CC
销取决于EXTV的连接上
CC
引脚。 INTV
CC
权力的栅极驱动器和大部分的
LTC3788-1的内部电路。该VBIAS LDO和
EXTV
CC
LDO调节INTV
CC
到5.4V 。每个这些可以
供应为50mA的峰值电流，并且必须被旁路到
地以最小的4.7μF的陶瓷电容器构成。良好
旁路是必要的，以提供高瞬态电流
由MOSFET栅极驱动器和防止IN-要求
在通道之间teraction 。
高输入电压应用中MOSFET的大
正在被驱动的在高频率可能会导致马克西
妈妈结温额定值为LTC3788-1是
超标。该INTV
CC
目前，这是由主导
栅极充电电流，可以由该VBIAS供应
LDO或EXTV
CC
LDO 。当在EXTV电压
CC
引脚低于4.8V时， LDO VBIAS启用。在这
情况下，功耗的集成电路是最高的，并且等于
到V
IN
I
INTVCC
。栅极充电电流取决于
上操作的频率，如在Ef中网络连接效率讨论
注意事项一节。结温度可以是
通过使用的注释3所给的公式估计的
电气特性。例如， LTC3788-1
INTV
CC
电流从40V限制为小于15毫安
当不使用EXTV供应
CC
供应：
T
J
= 70 ° C + （ 15毫安） （ 40V ） （ 90 ° C / W） = 125°C
为防止最高结温为
突破，将输入电源电流，必须同时检查
在连续导通模式（ PLLIN / MODE
- INTV
CC
）的最大V
IN
.
当电压施加到EXTV
CC
高于4.7V时，
V
IN
LDO可关闭并且EXTV
CC
LDO启用。该
EXTV
CC
LDO残留在只要电压施加到
EXTV
CC
仍高于4.55V 。该EXTV
CC
LDO的尝试
为规范INTV
CC
电压为5.4V ，因此，虽然EXTV
CC
小于5.4V时，LDO是辍学和INTV
CC
电压约等于EXTV
CC
。当EXTV
CC
大于5.4V ，最多到绝对最大为6V ，
INTV
CC
被调节到5.4V 。
下面的列表总结了可能的连接
EXTV
CC
:
EXTV
CC
悬空（或接地） 。
这将导致
INTV
CC
可以从内部5.4V稳压电源
荡器产生的EF网络效率罚高投入
电压。
EXTV
CC
连接到外部电源。
如果一个外部
最终供应量在5.4V至6V范围内使用，它可能
可用于电力EXTV
CC
只要它是兼容
与MOSFET的栅极驱动器的要求。保证
EXTV
CC
< VBIAS 。
顶边MOSFET驱动器电源（C
B
, D
B
)
外部自举电容
B
连接到升压
引脚提供栅极驱动电压为上部MOSFET导
场效应管。电容C
B
在框图虽然充电
外部二极管D
B
从INTV
CC
当SW引脚为低电平。
当顶侧MOSFET的哪一个要被接通，则
驱动程序放在了C
B
跨越的栅极 - 源极电压
所需的MOSFET。这提高了的MOSFET ，并接通
上部开关。开关节点电压，SW，上升到
V
IN
和BOOST引脚如下。与上部MOSFET
上升压电压高于输入电压： V
BOOST
=
V
IN
+ V
INTVCC
。升压电容器C的值
B
需求
为100倍的总输入电容的
顶侧MOSFET的（多个） 。外部的反向击穿
肖特基二极管必须大于V
IN （MAX）
.
故障条件：过热保护
在较高温度下，或者在情况下，内部
功耗导致芯片过度自热
（如INTV
CC
对地短路） ，过温
关断电路将关闭LTC3788-1 。当
结温超过约170 ° C，
超温电路将禁用INTV
CC
LDO ，
造成INTV
CC
供应折叠和有效关闭
关闭整个LTC3788-1芯片。一旦结温
perature下降至约155 ℃，则INTV
CC
LDO重新开启。长期过载（T
J
> 125°C ）
应避免使用，因为它会降低性能或
缩短部件的使用寿命。
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