LT3782
应用信息
的栅极驱动电压由10V GBIAS调节器设定。
因此，在额定10V的MOSFET ，需要在最
高电压的LT3782应用。
密切关注BV
DSS
特定网络阳离子的
相对于最大实际开关电压的MOSFET
在该应用程序。开关节点可以在环
关断MOSFET因布局寄生效应。检查
穿过直接切换MOSFET的波形
使用实际的印刷电路板布局的漏极和源极端子
（不只是在实验室实验电路板！ ）的过度振荡。
计算功率MOSFET的开关和传导
损耗和结温
为了计算功率的结温
的MOSFET ，由该装置所消耗的功率必须是已知的。
此功耗是占空比的函数，该
负载电流和结温本身（由于
其R的正温度COEF音响cient
DS （ ON）
） 。作为
结果，一些迭代计算，通常需要对
确定一个合理的准确值。应谨慎
为确保该转换器能够提供的
在所有工作条件所需的负载电流（线
电压和温度） ，而对于最坏情况下的试样
科幻阳离子V
SENSE （ MAX）
和R用
DS （ ON）
MOSFET的
在制造商的数据表中列出。
由MOSFET在两相升压功率耗散
转换器：
I
O（最大值）
P
FET
=
2
2
(
1– D
)
R
DS （ ON）
D
I
O（最大值）
T
+k
V
O2
2
(
1– D
)
C
RSS
f
上面的第一个网络术语公式中代表我
2
R
在该装置的损失，和第二项中，切换
损失。的常数，k = 1.7 ，是成反比的经验因子
相关的栅极驱动电流，并具有维
的1 /电流。该
ρ
T
术语占温度
COEF的的R网络cient
DS （ ON）
在MOSFET ，其通常的
0.4 ％ / ℃。图4示出了归一化的变化
R
DS （ ON）
在整个温度范围为典型的功率MOSFET。
2.0
ρ
T
归一化导通电阻
1.5
1.0
0.5
0
–50
50
100
0
结温（ ° C）
150
3782 F06
图4.归
DS （ ON）
与温度
3782ff
12
