ISL78214
电气规格
除非另有说明，所有参数的限制建立在所述推荐
操作条件和典型的规格是在以下条件下测得
除非另有说明：T已
A
= -40 ° C至+ 105 ° C，V
IN
= 3.6V ， EN = VDD 。典型值是在
T
A
= +25°C.
黑体字限额适用于整个工作温度范围内，
-40 ° C至+ 105°C 。 （续）
符号
RT
测试条件
民
最大
（注7 ）典型值（注7 ）
0.17
0.20
0.23
单位
Ω
参数
反式电阻
LX
P沟道MOSFET
导通电阻
N沟道MOSFET
导通电阻
LX最大占空比
PWM开关频率
LX最小导通时间
PG
输出低电压
延迟时间（上升沿）
PG引脚漏电流
PGOOD上升阈值
PGOOD下降阈值
PGOOD延迟时间（下降
边）
EN ， SYNCH
逻辑输入低
逻辑输入高
同步逻辑输入漏
当前
使能逻辑输入漏
当前
热关断
热关断迟滞
注意事项：
V
IN
= 5V ，我
O
= 200毫安
V
IN
= 2.8V ，我
O
= 200毫安
V
IN
= 5V ，我
O
= 200毫安
V
IN
= 2.8V ，我
O
= 200毫安
-
-
-
-
-
50
70
50
70
100
1.0
-
75
100
75
100
-
1.20
140
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
%
兆赫
ns
f
S
SYNCH =高
0.80
-
下沉1毫安
-
0.65
-
1
0.01
92
88
15
0.3
1.35
2
95
91
-
V
ms
A
%
%
s
PG = V
IN
= 3.6V
调节电压的百分比
调节电压的百分比
-
89
85
-
-
1.4
I
同步
I
EN
上拉至5.5V
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
140
25
0.4
-
4
4
-
-
V
V
A
A
°C
°C
6.限制设立的特性，不生产测试。
7.参数与MIN和/或最大极限100％经过测试，在+ 25 ° C，除非另有规定。温度限制成立
经鉴定，不生产测试。
5
FN7551.0
2010年3月8日
