ISL78210
1000
Q
U
=100nC
900 Q
L
=200nC
800
功率（mW ）
700
600
500
400
300
200
100
0
0
200 400 600 800 1k 1.2k 1.4k 1.6k 1.8k 2k
频率（Hz）
Q
U
=20nC
Q
L
=50nC
Q
U
=50nC
Q
L
=100nC
布局的注意事项
Q
U
=50nC
Q
L
=50nC
在IC ，模拟信号和逻辑信号都应该是上
在PCB的同一侧，从强大的位于远
排放源。功率转换部件
应当布置在类似于在实施例的方式
图12中，面积包围由电流
通过输入电容循环，高边
MOSFET和低侧MOSFET的是尽可能地小
和所有位于该印刷电路板的同一侧。电源
组件可以位于PCB板的任一侧
相对于IC 。
GND
GND
产量
产量
电容器
+
+
电容器
图11.功耗与频率
有现成的，一些功率MOSFET
用于DC / DC转换器应用进行了优化。该
首选高边MOSFET强调低开关
电荷，从而使设备花费最少量的
时间中的线性区域耗散功率。不像
低侧MOSFET ，具有漏极 - 源极电压
在关断期间，高侧夹住它的体二极管
MOSFET采用V关闭
IN
-V
OUT
，加上秒杀，跨
它。较好的低边MOSFET强调低
r
DS （ ON）
当完全饱和，以减少传导
损失。
为低侧MOSFET ， （LS） ，功率损耗可
假定只有导电和可写为
公式22 ：
P
CON_LS
≈
I
负载
r
DS
(
ON
） _LS
(
1
–
D
)
2
VOUT
VOUT
相
相
节点
节点
低端
低端
MOSFET的
MOSFET的
输入
输入
电容器
电容器
高边
高边
MOSFET的
MOSFET的
VIN
VIN
图12.典型功率器件
放置
信号地
GND引脚是信号共同也称为模拟
地面的IC 。当铺设的PCB ，这是非常
重要的是GND引脚到所述连接
底部反馈分压器电阻器以及C
软
电容器进行尽可能接近到GND引脚上的
导体不被任何其他组件共享。
除了临界单点连接
在前面的段落中所讨论，所述接地平面
印刷电路板的层应该有一个单点连接
岛屿位于涵盖了IC的区域下，
反馈分压器，补偿元件，
C
软
电容，并跻身互连痕迹
组件和集成电路。岛上应是
使用多个填充过孔的其余连接
接地平面层在一个点不在路径
无论是大的静态电流或高di / dt电流。该
单个连接点也应该是其中的VCC
去耦电容和GND引脚的IC都
连接。
（当量22）的
用于高侧MOSFET ， （HS） ，它的导通损耗是
写成公式23 ：
P
CON_HS
=
I
负载
r
DS
(
ON
） _HS
D
2
（当量23）的
用于高侧MOSFET ，其开关损耗被写为
公式24 ：
V
IN
I
谷
t
ON
F
V
IN
I
PEAK
t
关闭
F
SW
SW
-
-
P
SW_HS
= --------------------------------------------------------------------- + -----------------------------------------------------------------
2
2
（当量24）
其中：
- I
谷
是的DC分量的差
电感器的电感器电流减去1/2
纹波电流
- I
PEAK
是的DC分量的总和
电感纹波的电感电流加上1/2
当前
- t
ON
所需的时间来驱动设备进入
饱和
- t
关闭
所需的时间来驱动设备进入
截止
电源地
任何地方不是在模拟地岛电力
地面上。
VCC和PVCC引脚
放置去耦电容尽可能接近实际的
该IC 。特别是， PVCC去耦电容
应该有一个非常短且宽的连接到
PGND引脚。在VCC去耦电容应不
分享与PVCC去耦电容的任何通路。
EN和PGOOD引脚
这些被引用到GND逻辑信号
引脚。当作一个典型的逻辑信号。
13
FN7583.0
2010年3月8日
