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IRFBF20S ， IRFBF20L ， SiHFBF20S ， SiHFBF20L
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
38
4.7
21
单身
D
特点
900
8.0
表面贴装（ IRFBF20S / SiHFBF20S ）
小尺寸通孔（ IRFBF20L / SiHFBF20L ）
=可用
in
TAPE
(IRFBF20S/SiHFBF20S)
动态的dv / dt额定值
150 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
铅（Pb） ，免费提供
和
可用的
REEL
RoHS指令*
柔顺
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK （ TO-263 ）
描述
G
G
D
S
S
N沟道
MOSFET
第三代功率MOSFET组成的Vishay提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
对D
2
PAK是一个表面贴装功率封装capabel
容纳模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的
的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用其
较低的内部连接性和功耗最高
2.0 W的一个典型的表面安装的应用程序。该
贯通孔版（ IRFBF20L / SiHFBF20L ）是可用于
低调的申请。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFBF20SPbF
SiHFBF20S-E3
IRFBF20S
SiHFBF20S-E3
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFBF20STRLPbF
a
SiHFBF20STL-E3
a
IRFBF20STRL
a
SiHFBF20STL
a
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFBF20STRRPbF
a
SiHFBF20STR-E3
a
IRFBF20STRR
a
SiHFBF20STR
a
I
2
PAK （ TO- 262 ）
IRFBF20LPbF
SiHFBF20L-E3
IRFBF20L
SiHFBF20L
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
e
栅源电压
e
连续漏电流
脉冲漏
当前
A，E
能源
B，E
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dv / dt的
极限
900
± 20
1.7
1.1
6.8
0.43
180
1.7
5.4
54
3.1
1.5
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩
重复性雪崩
重复性雪崩
当前
a
能源
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
C，E
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91121
S-挂起-REV 。 A， 23军08
www.vishay.com
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WORK -IN -PROGRESS
