LMV761/LMV762
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差（注2 ）
人体模型
机器型号
电源电压（V
+
– V
)
差分输入电压
之间的任何两个引脚电压
输出短路持续时间（注9 ）
目前，在输入引脚
2000V
200V
5.5V
电源电压
电源电压
± 5毫安
焊接信息
红外线或对流（20秒）。
波峰焊（ 10秒）
结温
存储温度范围
235°C
260C （铅温度）
150°C
-65_C到150_C
工作额定值
电源电压（V
+
– V
)
温度范围
封装热阻（注4 ）
6引脚SOT- 23
8引脚SOIC
8引脚MSOP
2.7V至5.0V
-40 ° C至+ 125°C
265°C/W
190°C/W
235°C/W
2.7V电气特性
除非另有说明，所有的有限保证对于T
J
= 25 ° C，V
CM
= V
+
/2, V
+
= 2.7V, V
= 0V
.
粗体
限制适用于
极端温度。 （注5 ）
符号
V
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
CMVR
V
O
I
SC
I
S
参数
输入失调电压
输入偏置电流（注8 ）
输入失调电流（注8 ）
共模抑制比
电源抑制比
输入共模电压
范围
输出摆幅高
输出摆幅低
输出短路电流
（注3）
电源电流
LMV761 （单比较）
LMV762 （两个比较）
I
OUT泄漏
输出漏I @关闭
I
秒漏
t
PD
供应漏电I @关闭
传播延迟
R
L
= 5.1k
C
L
= 50pF的
传播延迟偏斜
输出上升时间
输出下降时间
启动时间从关断
10 ％至90％
90 ％至10％
SD = GND ，V
O
= 2.7V
SD = GND ，V
CC
= 2.7V
过载=为5mV
过驱动= 10mV的
过驱动= 50mV的
0V ＆ LT ; V
CM
＆ LT ; V
CC
- 1.3V
V
+
= 2.7V至5V
CMRR > 50分贝
I
L
= 2毫安，V
ID
= 200mV的
I
L
= -2mA ，V
ID
= ± 200mV的
采购，V
O
= 1.35V, V
ID
= 200mV的
下沉，V
O
= 1.35V, V
ID
= ± 200mV的
6.0
6.0
V
+
– 0.35
V
+
– 0.1
90
20
15
275
550
0.20
0.20
270
205
120
5
1.7
1.8
6
ns
ns
ns
μs
ns
2
700
1400
μA
μA
250
80
80
条件
民
（注7 ）
典型值
（注6 ）
0.2
0.2
.001
100
110
0.3
1.5
最大
（注7 ）
1.0
50
5
单位
mV
pA
pA
dB
dB
V
V
mV
mA
μA
t
SKEW
t
r
t
f
t
on
www.national.com
2
