TLHG / O / P / R / Y4900
威世半导体
1.6
日前，Vishay
I
V REL
- 相对发光强度
10000
T
AMB
≤
65
°
C
I
F
- 正向电流（mA ）
红
1000
t
p
/T= 0.01
0.02
0.05
1.2
100
1
10
0.5 0.2
0.1
0.8
0.4
I
F
= 10毫安
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
1
0.01
95 10047
0
0.1
1
10
100
95 10027
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
图3.正向电流与脉冲宽度
图6.相对。发光强度与环境温度
0°
I
V REL
- 相对发光强度
10
°
20
°
I
V再度升
- 相对发光强度
30°
2.4
红
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
10
95 10321
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
40°
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
（MA ）
0.02
t
p
/T
95 10044
1
图4.相对。发光强度与角位移
图7.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
I
V REL
- 相对发光强度
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
10
红
红
100
t
p
/T = 0.001
t
p
= 10
s
1
10
0.1
1
0.1
0
95 10026
0.01
2
4
6
8
10
95 10029
1
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
V
F
- 正向电压（ V）
图5.正向电流与正向电压
图8.相对发光强度与正向电流
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4
文档编号83009
修订版1.5 ， 8月31日 - 04
