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TLM.32.
威世半导体
绝对最大额定值
1)
TLMK32 。 ， TLMS32 。 ， TLMO32 。 ， TLMY32 。
参数
反向电压
正向电流
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
热阻结/环境
安装在PC板FR4
可选paddesign
安装在PC板FR4
推荐paddesign
2)
测试条件
符号
V
R
I
F
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
R
thJA
R
thJA
价值
5
70
180
125
- 40至+ 100
- 40至+ 100
290
270
单位
V
mA
mW
°C
°C
°C
K / W
K / W
注意：
1)
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
2)
行驶在相反的方向上的发光二极管，适用于短期应用
光学和电学特性
1)
TLMK32 。红
参数
发光强度
2)
光通量
主波长
峰值波长
光谱带宽
在50％的余
相对最大
半强度角
正向电压
3)
反向电流
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
V
R
= 5 V
TLMK32..
测试条件
I
F
= 50毫安
部分
TLMK32T2V1
TLMK32U2AA
TLMK32T2AA
符号
I
V
I
V
I
V
φ
V
/I
V
λ
d
λ
p
Δλ
V
F
I
R
1.85
612
分钟。
355
560
355
3
617
624
18
± 60
2.1
0.01
2.55
10
624
典型值。
马克斯。
900
1400
1400
单位
MCD
MCD
MCD
传销/ MCD
nm
nm
nm
度
V
A
注意：
1)
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
3)
正向电压时，在1毫秒的电流脉冲的持续时间和在± 0.05伏的耐受性测试
光学和电学特性
1)
TLMS32 。 ，超红
参数
发光强度
2)
光通量
主波长
峰值波长
光谱带宽
在50％的余
相对最大
半强度角
正向电压
3)
反向电流
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
V
R
= 5 V
测试条件
I
F
= 50毫安
部分
TLMS32S2U1
TLMS32T1U2
TLMS32S2V1
符号
I
V
I
V
I
V
φ
V
/I
V
λ
d
λ
p
Δλ
V
F
I
R
1.85
626
分钟。
224
280
224
3
630
641
17
± 60
2.1
0.01
2.55
10
638
典型值。
马克斯。
560
710
900
单位
MCD
MCD
MCD
传销/ MCD
nm
nm
nm
度
V
A
注意：
1)
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
3)
正向电压时，在1毫秒的电流脉冲的持续时间和在± 0.05伏的耐受性测试
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文档编号81284
1.0版， 22 -FEB -08
