TLMK/O/S/Y320.
威世半导体
V
F
- 改变前进的
电压
（毫伏）
10
I
V
REL
- 相对发光强度
超红
250
50毫安
200
150
100
50
0
- 50
- 100
- 150
- 200
- 50
- 25
0
25
50
75
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
100
10毫安
软橙
30毫安
1
0
0.01
1
17042
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
17020
图15.相对发光强度与正向电流
图18.更改正向电压与环境温度
Δ λ
d
- 改变的DOM 。
波长
（纳米）
1.5
1.0
0.5
0.0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
I
F
- 正向电流（mA ）
17021
2.5
I
V
REL
- 相对发光强度
红
软橙
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
- 50
17043
- 25
0
25
50
75
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图16.更改主波长与正向电流
图19.相对发光强度与大使。温度
- 改变的DOM 。
波长
（纳米）
1.2
I
V
REL
- 相对发光Itensity
软橙
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
560
16314
6
软橙
4
2
0
-2
-4
-6
- 50
d
580
600
620
640
660
- 25
0
25
50
75
100
λ
-
波长
（纳米）
17022
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图17.相对强度与波长
图20.更改的主波长与
环境温度
文档编号83146
修订版1.5 ， 24月， 07
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