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LT3755/LT3755-1
应用信息
一个升压转换器所需的电容值可以是
估计如下：
C
IN（
μ
F )
=
I
LED （ A）
1
μ
F
V
OUT
T
SW （
μ
s)
V
IN
A
μ
s
电流纹波。采用X7R型陶瓷电容是
推荐使用。
以实现相同的LED纹波电流，所需的滤波器
电容在升压和降压 - 升压模式大AP-
褶皱比在降压模式的应用程序。低
工作频率要求较高的比例
电容值。
软启动电容的选择
对于许多应用来说，它以最小化是非常重要的
浪涌电流在启动。内置的软启动电路
显着地降低了启动电流尖峰和输出
电压过冲。软启动间隔由软设置
根据公式启动电容的选择：
T
SS
=
C
SS
2V
10μA
因此，一个4.7μF的电容是一个合适的选择
用于12V输入400kHz的升压稳压器， 48V输出
和1A的负载。
具有相同的V
IN
为100mV ，输入电压纹波电容
器为降压转换器，可估计如下：
C
IN（
μ
F )
=
I
LED （ A）
T
SW （
μ
s)
4 . 7
μ
F
A
μ
s
一个10μF的输入电容是一个合适的选择了
400kHz的降压模式转换器和一个1A的负载。
在降压模式CON连接配置中，输入电容具有
大脉冲电流，由于电流通过返回
肖特基二极管，当开关处于关闭状态。在这种降压
以放置电容尽可能靠近转换器的情况下是很重要的
尽可能的肖特基二极管和与GND返回
开关（即，感测电阻器）组成。同样重要的是
考虑电容器的纹波电流额定值。为
最佳的可靠性，该电容应具有低ESR和
ESL和有足够的纹波电流额定值。有效值
输入电流降压模式LED驱动器：
I
IN（ RMS ）
=
I
LED
为软启动电容的典型值是0.01μF的
.
软启动引脚降低振荡器的频率和
在开关的最大电流。软启动电容
放电时，
SHDN / UVLO
低于其阈值时，
在过温事件或INTV期间
CC
欠压事件。在启动过程中有
SHDN / UVLO ，
软启动电容充电后已启用
科幻RST PWM高发期。
功率MOSFET选择
对于应用在高输入或输出电压工作，
功率NMOS FET开关通常选用排水
电压V
DS
评级和低栅极电荷Q
G
。考虑
的开关的导通电阻R
DS （ ON）
，通常是次要BE-
导致开关损耗占主导地位的功率损耗。该INTV
CC
在LT3755稳压器具有一个固定的电流限制保护
该IC的功耗过大，在高V
IN
的，所以
场效应管的选择应使得Q的产物
G
在7V和
开关频率不超过INTV
CC
当前
极限。驱动LED要小心选择开关
A V
DS
等级超过阈值的FB引脚设置
在发生开路负载故障。几个MOSFET供应商
列于表3中。在该应用程序中使用的MOSFET的
在此数据表中的电路已被发现工作情况良好
与LT3755 。咨询工厂应用等
推荐的MOSFET。
37551fa
(
1 – D
)
D
其中，D是开关的占空比。
表2.推荐陶瓷电容器制造商
生产厂家
TDK
基美
村田
太阳诱电
电话
516-535-2600
408-986-0424
814-237-1431
408-573-4150
WEB
www.tdk.com
www.kemet.com
www.murata.com
www.t-yuden.com
输出电容的选择
输出电容的选择取决于负载
转换器CON连接配置中，即升压或降压
和工作频率。对于LED的应用，
LED的等效电阻通常为低，并且
输出滤波器电容的大小应以衰减
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