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LT3751
应用信息
RV
OUT
& RBG选择
RV
OUT
应该基于V来选择
OUT
比较器跳
电流。 RV
OUT
当前应100μA之间设计
和4mA至保持精度。
V
OUT ， TRIP
+
V
二极管
+
V
TRANS
55V
N
400μA
折痕与输出电压，平均电流虽
在NMOS是最伟大的，当输出接近充电
和由下式给出：
I
PK
V
OUT （ PK ）
I
AVG ，男
=
2(V
OUT （ PK ）
+
N - V
TRANS
)
见表2推荐的外部NMOS晶体管。
栅极驱动器操作
LT3751的栅极驱动器有一个内置的可选10.5V
或5.6V钳高达2A的电流能力（使用
LVGATE ） 。为10.5V操作，配合CLAMP引脚接地，
和5.6V操作，配合夹紧销到V
CC
引脚。
选择一个钳位电压不超过所述NMOS
制造商的最大V
GS
收视率。在5.6V夹
也可用于降低LT3751的功率耗散
并采用逻辑电平场效应管时，增加外汇基金fi效率。该
典型栅极驱动电压过冲为0.5V以上
钳位电压。
该LT3751的栅极驱动器还采用了PMOS上拉
通过LVGATE引脚器件。在PMOS上拉驱动程序应该
只可用于V
CC
8V或以下的应用程序。操作
LVGATE与V
CC
8V以上会造成永久性的损害
到的部分。当连接到HVGATE和LVGATE活跃
允许轨到轨栅极驱动器的操作。这是特别
低V有用
CC
应用程序，允许更好的NMOS
驱动能力。它也提供了最快上升时间
鉴于诗句1.5A时， 2A大电流能力
只用HVGATE 。
RV
OUT
=
R
BG
设置跳闸电流，并直接关系到
选择房车
OUT
.
R
BG
=
0.98 RV
OUT
RV
OUT
V
OUT ， TRIP
+
V
二极管
V
TRANS
1
N
RV
TRANS
NMOS开关选型
选择以最小的门外部NMOS功率开关
电荷和导通电阻SATIS音响上课电流限制和
电压击穿要求。栅极是名义上
驱动到V
CC
- 在每个充电周期2V 。保证
这不超过最大栅极到源极电压
在NMOS的评级，但增强了渠道不够
最小化的导通电阻。
的同样，最大漏极 - 源极电压等级
NMOS必须超过V
TRANS
+ V
OUT
/ N或幅度
漏感尖峰的，以较高者为准。该
瞬时最大漏极电流额定值必须大于
选择的电流限制。因为在开关周期DE-
表2.推荐NMOS晶体管
生产厂家
飞兆半导体
www.fairchildsemi.com
安森美半导体
www.onsemi.com
产品型号
FDS2582
FQB19N20L
FQP34N20L
MTD6N15T4G
NTD12N10T4G
NTB30N20T4G
NTB52N10T4G
Si7820DN
Si7818DN
SUP33N20-60P
I
D
(A)
4.1
21
31
6
12
30
52
2.6
3.4
33
V
DS （ MAX）
(V)
150
200
200
150
100
200
100
200
150
200
R
DS （ ON）
(mΩ)
66
140
75
300
165
81
30
240
135
60
Q
G（ TOT ）
（ NC ）
11
27
55
15
14
75
72
12.1
20
53
包
SO-8
TO-252
TO-220
DPAK
DPAK
D
2
PAK
D
2
PAK
1212-8
1212-8
TO-252
日前，Vishay
www.vishay.com
3751f
18
