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LT3748
应用信息
电压MOSFET漏极，而减少的价值
电阻器和任选增大电容
以及将减小过冲。一个RC的一个例子
缓冲以最小的功耗，但足够
保护MOSFET开关显示在48V，
0.5A的输出的典型应用中，如图17所示。
RCD钳位，如图7所示，也可以防止
从超过击穿漏感尖峰
电压的MOSFET开关。在大多数应用中，有
会引起缓慢的夹紧一个非常快的电压尖峰
二极管。一旦二极管钳位，漏感
电流通过钳位电容器吸收。此期
不应长于200ns内，以便不干扰
与输出调节。之后的钳位二极管关闭
漏感能量被吸收和开关
电压就等于：
V
DS
= V
IN
+ N
PS
(V
OUT
+ V
F（二极管）
)
肖特基二极管通常用于在使用的最佳选择
缓冲器，但一些PN结二极管，可以当它们打开用于
足够快的速度来限制漏感尖峰。图8
和图9示出在该MOSFET的漏极波形
切换为图17所示的48V输出应用
在最大额定负载和最大输入电压与
一个RC缓冲电路和RCD钳位电路，分别。这两种解决方案
系统蒸发散限制，漏感尖峰低于190V ，低于
200V V
DS （ MAX）
该MOSFET Si7464DP的评级。
V
IN
C
R
L
泄漏
V
OUT +
漏极电压（ V）
环超出预期的反向电压。 RC缓冲器
或RCD钳位可以被实现，以减少电压
穗如果理想的是使用较低的反向电压的二极管。
次级漏感
除了泄漏的前述效果
在电感上的辅助一般情况下，漏感
特别是表现出额外的现象。它形成了一个
在变压器次级的effec-感应分压器
tively降低初级称为回扫脉冲的大小
用于反馈。这会增加输出电压
目标是在一个类似的比例。需要注意的是，与泄漏
秒杀行为，这种现象是加载独立的。对
程度，即次级漏感为常数
互感的比例（超过制造业
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
50
100
150
200
时间（纳秒）
V
IN
= 96V
V
OUT
= 48V
I
OUT
= 0.5A
R = 66
C = 150pF的
250
300
3748 F08
图8.波形MOSFET的漏极在正常运行
图17与RC缓冲电路的（如拉）
200
180
门
3748 F07
NMOS
漏极电压（ V）
漏感和输出二极管的应力
输出二极管还可以看到增加了反向电压
强调从漏感。虽然名义上看
输入电压的一个反向电压通过绕组分
英格斯比与输出电压时， MOSFET功率
开关导通时，在输出二极管的电容和
漏电感会造成LC槽其可以
+
D
V
OUT-
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
50
100
V
IN
= 96V
V
OUT
= 48V
I
OUT
= 0.5A
R = 4.99K
C = 0.22μF TDK 250V
D = CMR1U - 02M -LTC
150
200
时间（纳秒）
250
300
3748 F08
图7. RCD钳位
图9.波形MOSFET的漏极在正常运行
图17中使用RCD钳位与中央半导体
CMR1U - 02M - LTC相反RC缓冲电路的
3748f
