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LT3748
应用信息
L
PRI
≤ V
IN（分钟）
(V
OUT
+ V
F（二极管）
) N
PS
/(f
SW（ MIN）的
I
LIM
((V
OUT
+ V
F（二极管）
) N
PS
+ V
IN（分钟）
))
L
PRI
≥ (V
OUT
+ V
F（二极管）
) R
SENSE
400ns的N
PS
/15mV
L
PRI
≥ V
IN （MAX）
R
SENSE
为200ns / 15mV的
对于这种应用，使用2的初级电感： 1
变压器和0.016Ω检流电阻为6.25A
电流限制通过所需的最小范围内的开关
：频率和最小关断时间要求来
是9.6μH和11.5μH之间。看着表1，
没有变压器适合，准确的要求。对于
为了成型，具有比略少变压器
所需的初级电感选择的PA3177NL 。
该应用程序将需要进行彻底的台站为测试
相容性在较高输入电压和电流限制时，
处于最小值（在输出负载范围的中间） 。
最简单的解决方案，以缓解最低要求
的导通时间，以减少最大V
IN
虽然电压
交替
PS
有可能增加时的EF - 牺牲
FICIENCY （和需要更彻底的重新设计） 。
4.选择一个MOSFET开关
所选的2 ： 1的变压器需要一个标称额定55V
MOSFET开关上，假设没有漏感。
然而，即使少量的泄漏电感的可
导致漏环翻番预期的电压，
和通常这需要在最终设计中被验证。
然而，在低于10A的电流是相当容易找到
MOSFET，具有足够低R
DS （ ON）
是一个非常小的
贡献最大负载时的效率损失，而
类似地具有一个足够低的Q
G
要求最低
驱动MOSFET时，在电流和最小的损失
轻负载。另外，在考虑效率的提高
并与给定的MOSFET的损失，实是非常重要的
IZE一个权衡在研发
DS （ ON）
对于V
DS （ MAX）
可能会适得其反
如果一个缓冲器需要被添加到电路，以满足
电压要求和功耗要比多能量
区别在开关导通电阻。出于这个原因，一个威世
Si7738被选择以得到大量的缘与其150V
投资评级。电流在MOSFET的RMS可以被计算，
平方并乘以上述R
DS （ ON）
计算损失
和需要来驱动场效应管的频率的电流可以
来确定，通过下面的等式：
I
MOSFET （ RMS ）
= √I
LIM2
D/3
I
INTVCC
= f
SW
Q
G
P
INTVCC
= I
INTVCC
(V
IN
– V
INTVCC
)
在本申请中的MOSFET的电流有效值在最大
负载为约2.7A ，其进0.038Ω
DS （ ON）
会
0.28W ，或在效率2％损失的顺序。假设
的最高工作频率为围绕四个
大于最大负荷频率高次（在约一个
季输出负载）和读出逼近Q
G
at
从Vishay的数据表7V操作，近似
INTV
CC
目前很可能接近8毫安，散热0.04W
当负载为2.5W的顺序，或小于2％ ，
和许多在最大负荷较少。
5.选择输出二极管
输出二极管的反向电压，如前面计算的，是
对输出二极管的第一个重要指标。如同
该MOSFET ，选择具有足够的余量二极管应
釆用一个缓冲的。第二准则是
二极管的功率要求而更难以
正确地确定，一些厂商提供直接的数据
关于功耗与工作周期，它可以是
从表中的数据来确定。为了避免
使用缓冲器，具有60V的反向偏置的二极管capabil-
性和最小的正向压降被选择，在这种情况下，
该二极管公司SBR 8U60P5 。在这个特殊的应用
其中，提高效率为目标，最大限度地减少
在V（最大值）电压的要求
IN
可以允许使用
用较低的反向偏置等级和较低的二极管的
正向压降可能进一步提高效率。 AL-
ternatively ，如果没有有效的二极管可用于一个特定
反向偏压的评价，也可能是更有利的，以增加
绕组比之前低正向压降的二极管可以
被选中，然后重新评估是否与解决方案
较高的RMS二极管的电流是有利的。
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