IRF744 ， SiHF744
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
80
12
41
单身
450
0.63
特点
动态的dv / dt额定值
可用的
额定重复性雪崩
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
铅（Pb） ，免费提供
RoHS指令*
柔顺
TO-220
D
描述
第三代功率MOSFET Vishay公司提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本
有效性。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平，以约50瓦的低热阻
和TO- 220封装低的成本导致其广泛
接受整个行业。
G
S
G
D
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRF744PbF
SiHF744-E3
IRF744
SiHF744
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩
能源
b
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
6-32或M3螺丝
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
GS
I
D
I
DM
极限
± 20
8.8
5.6
35
1.0
540
8.8
13
125
3.5
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 12 mH的，R
G
= 25
Ω
I
AS
= 8.8 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
8.8 A，的dV / dt
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91056
S-挂起-REV 。 A， 19军08
WORK -IN -PROGRESS
www.vishay.com
1
