TPS737xx
SBVS067I - 2006年1月 - 修订MARCH 2009....................................................................................................................................................
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
TPS737xxyyyz
V
出（2）
XX
是标称输出电压（例如， 25 = 2.5V ， 01 =可调
(3)
).
YYY
是封装标识。
Z
是包的数量。
(1)
(2)
(3)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
1.25V和1.3V至5.0V在100mV的增量大部分的输出电压，采用创新的工厂数量有限，快转的基础
包级编程。最小订货量适用;请与工厂联系了解详细信息和可用性。
对于固定1.20V操作，领带FB至OUT 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
参数
V
IN
范围
V
EN
范围
V
OUT
范围
V
NR
, V
FB
范围
峰值输出电流
输出短路持续时间
连续总功率耗散
结温范围，T
J
存储温度范围
ESD额定值， HBM
ESD额定值，清洁发展机制
(1)
TPS737xx
-0.3到+6.0
-0.3到+6.0
-0.3到+5.5
-0.3到+6.0
内部限制
不定
SEE
耗散额定值表
-55到+150
-65到+150
2
500
°C
°C
kV
V
单位
V
V
V
V
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只，而根据所指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
电气特性
是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
功率耗散额定值
(1)
板
低K
(2)
高K
(3)
高K
(1)
(2)
(3)
(4)
(3) (4)
包
DCQ
DCQ
DRB
R
θJC
15°C/W
15°C/W
1.2°C/W
R
θJA
53°C/W
45°C/W
40°C/W
降额因子
上述牛逼
A
= +25°C
18.9mW/°C
22.2mW/°C
25.0mW/°C
T
A
≤
+25°C
额定功率
1.89W
2.22W
2.50W
T
A
= +70°C
额定功率
1.04W
1.22W
1.38W
T
A
= +85°C
额定功率
0.76W
0.89W
1.0W
SEE
功耗
在
应用
部分涉及到热设计的更多信息。
用于导出这些数据的JEDEC低K （ 1S）电路板设计是一块3英寸× 3英寸， 2层电路板与顶2盎司铜箔走线
董事会。
JEDEC的高K （ 2S2P ）用于导出这些数据的电路板设计是一块3英寸×3英寸，多层板用1盎司的内在动力和
接地层和2盎司铜箔走线在电路板的顶部和底部。
根据初步的热模拟。
2
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