ISL84714
典型性能曲线
T
A
= + 25°C ，除非另有说明
（续）
1.3
归一化增益（分贝）
1.2
1.1
1.0
V
INH
和V
INL
(V)
V
INH
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
1.0
R
L
= 50Ω
V
IN
= 0.2V
P-P
到2.8V
P-P
(V+ = 3.0V)
1.5
2.0
2.5
3.0
V+ (V)
3.5
4.0
4.5
1
10
频率（MHz）
100
V
INL
V + = 1.8V至3.6V
收益
0
-20
相
0
20
40
60
80
300
相位（度）
图15.数字交换点与电源电压
图16.频率响应
0
V + = 1.8V至3.6V
-10
-20
-30
串扰（ dB）的
-40
隔离
-50
-60
相声
-70
-80
-90
-100
1k
0
10
20
断隔离度（dB ）
30
40
50
60
70
80
90
100
100M 500M
10k
100k
1M
10M
频率（Hz）
图17.串扰和关断隔离
模具特点
衬底电位（电） ：
GND
晶体管数量： 57
过程：
亚微米CMOS
9
FN6086.3
2009年1月19日
