电气特性
STB/I/P85NF55
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250
A,
V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A
2
3
0.0062
分钟。
55
1
10
±100
4
0.008
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 40 A
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
-
典型值。
120
3700
900
310
120
30
45
150
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
-
V
DD
= 60 V，I
D
= 80 A
V
GS
=10 V
-
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 30 V，I
D
= 40 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
图14第8页
分钟。
典型值。
25
100
70
35
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
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文档编号8405第9版
