TPC8017-H
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（超高速U- MOSIII ）
TPC8017-H
高效率DC / DC转换器应用
笔记本电脑应用
便携式设备应用
占地面积小，因小而薄的封装
高速开关
小栅极电荷：Q
SW
= 7.8 NC （典型值）。
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 5.1毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 38 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10 μA （最大值） （V
DS
= 30 V)
增强型： V
th
= 1.1 2.3 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
（注2A ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
30
±20
15
60
1.9
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-6J1B
重量： 0.085克（典型值）。
脉冲（注1 ）
(t
=
10 s)
（注2A ）
(t
=
10 s)
（注2B ）
漏极功耗
W
电路CON组fi guration
8
7
6
5
漏极功耗
1.0
W
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
146
15
0.19
150
55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
注意：对于注释1至4中，参考下页。
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
1
2006-11-16
