TPCC8102
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（ U- MOSⅥ ）
TPCC8102
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
由于占用空间小，小而薄的封装
低漏源导通电阻：
R
DS （ ON）
= 14.5毫欧（典型值）（V
GS
= -10 V)
低漏电流：I
DSS
= -10
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= -30 V)
增强型： V
th
= -0.8 -2.0 V（V
DS
= -10 V，I
D
= -1.0毫安）
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
-30
-30
±20
-15
-45
26
1.9
0.7
59
-15
1.18
150
-55到150
单位
V
V
V
A
W
W
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1,2,3 ： SOURCE
5,6,7,8 ：排水
4 ：门
脉冲（注1 ）
（ TC = 25 ℃ ）
（T = 10秒）
（注2A ）
（T = 10秒）
（注2B ）
漏极功耗
漏极功耗
漏极功耗
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（ TC = 25 ℃ ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
2-3X1A
重量0.02克（典型值）。
注意：对于注释1至4中，参考下页。
在重负载下连续使用（高如应用程序
温度/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性可靠性
手册（ “注意事项” / “降额概念和
办法“ ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
电路CON组fi guration
8
7
6
5
1
2
3
4
1
2009-08-06
