TPCP8006
东芝场效应晶体管
硅N沟道MOS类型（U - MOS IV ）
TPCP8006
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
0.33
±
0.05
单位：mm
8
0.05
M
占地面积小，因小而薄的封装
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 6.5毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 36 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10
μA
(V
DS
= 20 V)
增强型： V
th
= 0.5 1.2 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
0.475
A
5
2.4
±
0.1
2.8
±
0.1
0.05
A
M
1
0.65
2.9
±
0.1
4
B
B
0.8
±
0.05
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
等级
20
20
±12
9.1
36.4
1.68
W
漏极功耗（T
=
5 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（注4 ）
通道温度
存储温度范围
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
0.84
21.5
9.1
0.168
150
55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
单位
V
V
V
A
S
0.025
S
0.17
±
0.02
＋0.1
0.28
－0.11
＋0.13
1.12
－0.12
＋0.13
1.12
－0.12
0.28
＋0.1
－0.11
1,2,3
Source
4
：门
5,6,7,8：DRAIN
漏极功耗（T
=
5 s)
（注2A ）
JEDEC
JEITA
东芝
2-3V1K
重量： 0.017克（典型值）。
电路CON组fi guration
8
7
6
5
注意：对于注释1至5，参见下页。
在重负载下连续使用（高如应用程序
温度/电流/电压和温度的显著变化，
等），可能会导致该产品在可靠性，降低显著
即使在操作条件下（ ieoperating温度/电流/电压，
等）的绝对最大额定值。请设计
经审查东芝半导体适当的可靠性
可靠性手册（ “注意事项” / “降额概念和
办法“ ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告和
估计的故障率，等）。
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
1
8
2
7
3
6
4
5
记号
（注5 ）
8006
*
1
2
3
4
LOT号
1
2008-10-22
