SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
BU2708DF
符号
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 600mA电流，我
C
=0
7.5
13.5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4A ，我
B
=1.33 A
1.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 4A ，我
B
=1.33 A
V
CE
ΔBV
CES ;
V
BE
=0
T
j
=125
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
15
1.0
1.0
2.0
V
I
CES
集电极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 4A ; V
CE
=1V
3
6
7.3
V
F
二极管的正向电压
I
F
=4A
1.6
V
2
