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2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存
SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A
SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A
数据表
产品订购信息
SST
39
XX
VF 200A
XX XXXX
- 70
- XXX
-
-
4C
XX
- B3K
- XXX
E
X
环境属性
E
1
=无铅
包修改
K = 48引脚或球
Q = 48球或凸起（ 66可能的位置）
套餐类型
B3 = TFBGA封装（ 0.8mm间距， 6× 8毫米）
C1 = XFLGA （ 0.5mm间距，采用4mm x 6毫米）
E = TSOP （类型1 ，死了，12毫米X 20毫米）
M1 = WFBGA （ 0.5mm间距，采用4mm x 6毫米）
温度范围
C =商业= 0 ° C至+ 70°C
I =工业= -40 ° C至+ 85°C
最低耐力
4 = 10,000次
读访问速度
55 = 55 ns的
70 = 70纳秒
VERSION
A =特殊功能版本
器件密度
800 = 8兆位
400 = 4兆位
200 = 2兆
电压
L = 3.0-3.6V
V = 2.7-3.6V
产品系列
39 =多用途闪存
1.环境后缀“E ”代表无铅锡焊。
SST无铅锡焊器件均“符合RoHS ” 。
2010硅存储技术公司
S71117-12-000
04/10
26
