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EM68B16CWPA
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扩展模式寄存器用于OCD阻抗调整
可以使用以下EMRS模式下完成的OCD阻抗调整。在驱动模式下，所有输出
赶出DDR2 SDRAM 。在驱动器（ 1 ）模式下，所有的DQ ， DQS信号被驱动为高电平，所有DQS ＃信号
驱动为低电平。在驱动器（ 0 ）模式下，所有的DQ ， DQS信号被拉低，所有DQS ＃信号驱动高。在
调整模式下，必须使用BL = 4的操作码的数据。在案件OCD校准默认情况下，输出驱动器
特点有18欧姆时额定温度和电压的标称阻抗值
条件。对于OCD校准默认的输出驱动器特性下表中指定。强迫症
仅适用于正常的充满力量的输出驱动器设置由EMRS定义，如果有一半的力量设置，默认情况下强迫症
驱动程序的特点是不适用的。当模式用于OCD校准调整， OCD默认的输出驱动器
特点是不适用的。后OCD校准完成或驱动强度设置为默认值，
随后EMRS命令并不打算为了调节强迫症的特点，必须指定A7 A9为“000”
保持默认值或校准值。
表9.OCD驱动方式的程序
A9
0
0
0
1
1
A8
0
0
1
0
1
A7
0
1
0
0
1
手术
OCD校准模式退出
驱动器（ 1 ） DQ ， DQS ， HIGH和DQS ＃ LOW
驱动器（ 0 ） DQ ， DQS ， LOW和DQS ＃ HIGH
调整模式
OCD校准默认
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OCD阻抗调整
要调整输出驱动器阻抗，控制器必须连同4位突发发出调整指令EMRS
码的DDR2 SDRAM作为下表中。对于此操作，突发长度具有通过被设置为BL = 4
激活强迫症和控制器必须推动这股代码为所有的DQ在同一时间前，刘健命令。
D
T0
下表中表示所有的DQ位在比特时间0，D
T1
在比特时间1，依此类推。驱动器输出
阻抗调整为所有DDR2 SDRAM的DQ同时和OCD校准后，给定所有的DQ
DDR2 SDRAM将被调整到相同的驱动器强度的设置。
的最大步数为调整为16，当达到该限制，进一步的增量或减量
码没有任何效果。默认也许将16步范围内的任何步骤。当调节模式命令
从预先设定值发出的， AL必须应用。
表10.OCD调整模式程序
4位突发代码输入到所有的DQ
D
T0
D
T1
D
T2
D
T3
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
1
0
1
0
1
1
0
1
0
0
1
1
0
1
0
其他组合
手术
拉驱动力
下拉驱动力
NOP
NOP
增加1步
NOP
1步降低
NOP
NOP
增加1步
NOP
1步降低
增加1步
增加1步
1步降低
增加1步
增加1步
1步降低
1步降低
1步降低
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修订版1.4
2009年3月
