TSHA5200 ， TSHA5201 ， TSHA5202 ， TSHA5203
威世半导体
红外发光二极管，符合RoHS ，
875纳米， GaAlAs的
1.2
V
F REL
- 相对正向
电压
(V)
1.1
I
F
= 10毫安
1.0
0.9
1.6
1.2
I
ê相对
;
Φ
ê相对
I
F
= 20毫安
0.8
0.8
0.7
0
20
40
60
80
100
0.4
0
- 10 0 10
94
8020
50
100
140
94 7990
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 5 - 相对正向电压与环境温度
图。 8 - 相对辐射强度/功率随环境温度
1000
持tSHA 5203
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
持tSHA 5202
100
持tSHA 5201
10
持tSHA 5200
1
10
0
94
8006
1.25
Φ
e
- 相对辐射功率
1.0
0.75
0.5
0.25
I
F
= 100毫安
Φ
e
(
λ
)
REL
=
Φ
e
(
λ
) /
Φ
e
(
λ
p
)
0
780
880
λ
-
Wavelenght
（纳米）
980
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
94
8000
图。 6 - 辐射强度与正向电流
图。 9 - 相对辐射功率与波长
0°
1000
10°
20°
30°
I
ê相对
- 相对辐射强度
Φ
e
- 辐射功率（mW ）
100
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
10
1
0.1
10
0
94
8007
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
94
8008
0.6
0.4
0.2
0
图。 7 - 辐射功率与正向电流
图。 10 - 相对辐射强度对比角位移
www.vishay.com
154
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81019
修订版1.7 ， 05月， 08
- 角位移
