AAT3680
锂离子/聚合物
线性电池充电控制器
Q1
RFD10P03L
R
SENSE
0.2
BATT +
VP
R4
100k
R1
1k
DRV
T2X
VP
CSI
BAT
C2
10F
BATT-
AAT3680
VP
TS
RT1
温度
VSS
C1
4.7F
D1
RT2
STAT
电池
PACK
R2
1k
图6 ：典型应用原理图使用P沟道功率MOSFET与AAT3680-4.2 。
1.第一个步骤是确定的最大功率
功耗（P
D
）中的导通晶体管。最坏的情况下
是当输入电压是最高的和
电池电压在快速充电的最低
（这被称为V
民
，标称3.1V时
在AAT3680-4.2转变，从涓流充电至
恒定电流模式） 。在这个公式中， V
CS
is
R两端的电压
SENSE
和V
D
是电压
横跨反向电流阻断二极管。参考
章节标题下方
肖特基二极管
进一步
详细信息。省略了V值
D
在方程中
下面，如果不使用二极管。
R
θJA
=
(T
J（下最大）
- T
A（最大值）
)
P
D
(150
- 40)
1.4
=
= 79℃ / W
P
D
= (V
P（ MAX）的
- V
CS
- V
D
- V
民
)
I
CHARGE （ REG ）
= (5.5V - 0.1V - 0.4V - 3.1V)
750mA
= 1.4W
2.下一步是确定哪些尺寸的封装
是需要保持结点温度低于
其额定值，T
J（下最大）
。使用该值，并且
将体系内的最高环境温度
T
A（最大值）
，算出热阻R
θJA
要求：
建议选择包一个
低
θJA
比上述计算的次数。
一个SOT223封装将是一个可以接受的
的选择，因为它具有R
θJA
62.5 ° C / W时，
安装在PCB上有足够人数
铜焊盘焊接到散热片。
3.选择的漏极 - 源极（Ⅴ
DS
）额定电压
比输入电压更大。在这个例子中，
V
P
是5.0V ，所以一个12V装置是可以接受的。
4.选择与漏电流额定值的MOSFET
大于设定的至少50％的
I
CHARGE （ REG ）
值。在这个例子中，我们将
选择一个设备与至少一个1.125A评级。
3680.2006.03.1.6
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