初步
的PSoC
3 ： CY8C38系列数据表
11.7记忆
规格适用于-40°C
≤
Ta
≤
85℃和TJ
≤
100 ° C，除非另有说明。指标有效期为1.71V至5.5V ，除
注意的地方。
11.7.1闪光
表11-55 。闪存DC规格
参数
描述
条件
民
典型值
最大
单位
擦除和编程电压
表11-56 。闪光交流规范
参数
描述
VDDD引脚
1.71
-
5.5
V
条件
民
典型值
最大
单位
TWRITE
Terase
Tbulk
块写入时间（擦除+程序）
块擦除时间
块编程时间
批量擦除时间（ 16 KB至64 KB ）
[20]
扇区擦除时间（ 8 KB 16 KB）
[20]
设备总节目时间
（包括JTAG等）
闪存耐久性
-
-
-
-
-
-
100k
-
-
-
-
-
-
-
15
10
5
35
15
5
-
ms
ms
ms
ms
ms
秒
计划/
抹去
周期
岁月
闪存数据保存时间
从测量的保留时间
最后擦除周期
20
-
-
11.7.2 EEPROM
表11-57 。 EEPROM DC规格
参数
描述
条件
民
典型值
最大
单位
擦除和编程电压
表11-58 。 EEPROM交流规范
参数
描述
条件
1.71
-
5.5
V
民
典型值
最大
单位
TWRITE
单字节擦除/写周期时间
EEPROM耐力
-
1M
2
-
15
-
ms
计划/
抹去
周期
岁月
EEPROM的数据保留时间
从测量的保留时间
最后一个擦除周期（最多10万次）
20
-
-
记
20. ECC不包括
文件编号： 001-11729修订版* I
第82页100
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