位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1571页 > ATMEGA1280V-8AU > ATMEGA1280V-8AU PDF资料 > ATMEGA1280V-8AU PDF资料5第32页
2.部分并不在2.4伏特工作
该部分不执行代码正确下方2.4伏
问题修复/解决方法
在低于2.4伏的电压不使用的部分。
3.不正确的ADC读数差模
该ADC具有高噪声在差分模式。它可以以7 LSB误差放弃。
问题修复/解决方法
利用差分模式的ADC时，使用的结果只有7 MSB
4.内部ADC参考电压的值太低
内部ADC的参考比规定值低
问题修复/解决方法
- 使用AVCC或外部基准
- 基准的实际值可通过施加一个已知电压，在被测定
当使用内部基准的ADC 。结果后来做的时候转换之后可以
校准。
5. IN / OUT指令可以被执行两次时，堆栈是在外部RAM
如果任何一个IN或OUT指令直接中断发生之前执行的
堆栈指针位于外部RAM ，指令会被执行两次。在某些情况下
这将导致一个问题，例如：
- 如果在读取SREG它会出现的I位被清除。
- 如果要写入PIN寄存器，该端口将切换两次。
- 如果读数中断标志寄存器，标志会出现被清除。
问题修复/解决方法
有两种应用的解决方法，其中，选择它们中的一个，将省略
问题：
- 更换IN和OUT与LD / LDS / LDD和ST / STS / STD指令
- 使用内部RAM堆栈指针。
6. EEPROM从应用程序代码读出不以锁定位模式3工作
当存储器锁定位LB2和LB1被编程为模式3 ， EEPROM的读操作
没有从应用程序代码。
问题修复/解决方法
不设置锁定位保护模式3时，应用程序代码需要从阅读
EEPROM 。
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ATmega640/1280/1281/2560/2561
2549LS–AVR–08/07
