HM62V8100I系列
工作温度范围宽版
8M的SRAM （ 1024 -千字
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8-bit)
ADE - 203-1278B （ Z）
1.0版
2002年3月12日
描述
日立HM62V8100I系列8 - Mbit的静态RAM举办1,048,576字
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8位。 HM62V8100I
系列已经通过使用高保真的CMOS实现更高密度，更高的性能和低功耗
工艺技术。它提供了低功耗待机功耗;因此，它适合于备用电池
系统。它与0.75毫米凸块间距或标准的44引脚TSOP II封装在48凸点芯片尺寸封装
对于高密度的表面安装。
特点
单3.0 V电源： 2.7 V至3.6 V
快速存取时间： 55纳秒（最大）
功耗：
主动： 6.0毫瓦/ MHz（典型值）
待机： 1.5
W
（典型值）
完全静态存储器。
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出。
三态输出
电池备份操作。
2芯片选择备用电池
温度范围： -40 + 85°C
