HM62V8100I系列
低V
CC
数据保持特性
（ TA = -40至+ 85°C ）
参数
V
CC
数据保留
符号
V
DR
民
2.0
典型*
4
—
最大
3.6
单位
V
测试条件*
3
VIN
≥
0V
(1) 0 V
≤
CS2
≤
0.2 V或
（2） CS 2
≥
V
CC
– 0.2 V
CS1
≥
V
CC
– 0.2 V
V
CC
= 3.0V，输入电压
≥
0V
(1) 0 V
≤
CS2
≤
0.2 V或
（2） CS 2
≥
V
CC
– 0.2 V,
CS1
≥
V
CC
– 0.2 V
数据保持电流
I
CCDR
*
1
—
0.5
25
A
I
CCDR
*
2
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
t
CDR
t
R
—
0
t
RC
*
5
0.5
—
—
10
—
—
A
ns
ns
见保留波形
注：1.该特征仅对于L版保证。
2.这种特征仅对于L -SL版本保证。
3， CS2控制地址缓冲区，
WE
缓冲液，
CS1
缓冲液，
OE
缓冲和DIN缓冲。如果CS2控制数据
保持模式，输入电压水平（地址，
WE ， OE ， CS1 ，
I / O）可以在高阻抗状态。如果
CS1
控制数据保留模式， CS2必须CS2
≥
V
CC
- 0.2 V或0 V
≤
CS2
≤
0.2五，其他
输入电平（地址，
WE ， OE ，
I / O）可以在高阻抗状态。
4.典型值是在V
CC
= 3.0 V ，TA = + 25°C ，并不能保证。
5. t
RC
=读周期时间。
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