HM62V8100I系列
工作温度范围宽版
8M的SRAM （ 1024 -千字
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8-bit)
ADE - 203-1278B （ Z）
Rev.2.00
Nov.02.2009
描述
该HM62V8100I系列8 - Mbit的静态RAM举办1,048,576字
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8位。 HM62V8100I系列实现
更高密度，更高的性能和低功耗采用的Hi- CMOS工艺技术。它提供
低功耗待机功耗;因此，它适合于电池备份系统。它被打包封装
0.75毫米凸块间距或标准的44引脚TSOP II高密度表面安装。
特点
单3.0 V电源： 2.7 V至3.6 V
快速存取时间： 55纳秒（最大）
功耗：
主动： 6.0毫瓦/ MHz（典型值）
待机： 1.5 μW （典型值）
完全静态存储器。
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出。
三态输出
电池备份操作。
2芯片选择备用电池
温度范围： -40 + 85°C
Rev.2.00 ， Nov.02.2009 ，页1
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