SSM2602GY
N沟道增强模式
功率MOSFET
产品概述
能够2.5V栅极驱动
导通电阻的降低
表面贴装封装
符合RoHS
S
D
D
G
D
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
20V
34mΩ
6.3A
SOT-26
描述
先进的功率MOSFET采用先进的加工技术
以实现尽可能低的导通电阻，非常有效和
成本效益的设备。
采用SOT -26封装普遍用于所有的商业，工业
应用程序。
D
G
S
无铅;符合RoHS标准
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
20
±12
6.3
5
30
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
℃/W
2007/11/16 Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
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