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TPIC6C596
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS093C - 2000年3月 - 修订2005年4月
D
低R
DS （ ON）
. . . 7
典型值
D
雪崩能量。 。 。 30兆焦耳
D
八功率DMOS晶体管输出
D
D
D
D
D
D
100 mA的连续电流
250 - mA的电流限制能力
ESD保护。 。 。 2500 V
输出钳位电压。 。 。 33 V
增强层叠的多个阶段
疏通，单输入的所有寄存器
低功耗
D，N ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
V
CC
SER IN
DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
CLR
G
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
GND
SRCK
DRAIN7
DRAIN6
DRAIN5
DRAIN4
RCK
SER OUT
描述
该TPIC6C596是单片，中压，
低电流的8位移位寄存器设计为
在要求相对适中的系统使用
负载功率，如LED 。该器件包含一个
内置的电压钳上用于感应输出
瞬态保护。功率驱动器应用
包括继电器，螺线管等低电流或
中压负荷。
逻辑符号
G
RCK
CLR
SRCK
SER IN
8
10
7
15
2
R
EN3
C2
SRG8
C1
1D
2
3
4
5
DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
该器件包含一个8位串行输入，并行输出
6
DRAIN3
馈送一个8位D型存储移位寄存器
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DRAIN4
注册。同时通过移动数据传输，
12
DRAIN5
在换档的上升沿存储寄存器
13
寄存器时钟（ SRCK ）和寄存器时钟
DRAIN6
14
（ RCK ）表示。该存储寄存器反
DRAIN7
2
FERS数据到输出缓冲器时，移位寄存器
9
SER OUT
清除（ CLR ）为高。当CLR为低电平时，所有的寄存器
在该装置将被清除。当输出使能（ G）
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984
保持高电位，在输出缓冲器中的所有数据被保持
和IEC出版617-12 。
低的，并所有的漏输出，都熄灭。当G被保持
低时，从该存储寄存器的数据是透明的输出缓冲器。当在输出缓冲器的数据为低电平时，
在DMOS晶体管输出关闭。当数据为高时， DMOS晶体管，输出具有吸收电流
能力。串行输出（ SER OUT ）的同步输出设备上SRCK的下降沿提供
更多的保持时间为级联应用。这将为应用改进的性能
时钟信号可以被扭曲，设备不位于靠近彼此，或系统必须能够承受
电磁干扰。
该器件包含电路，以保护其投入和对输出的伤害，由于高静电压或静电场。这些
电路已合格，根据MIL -STD- 883C ，以保护该器件免受高达2kV的静电放电（ ESD ）
方法3015 ;然而，建议采取预防措施，以避免应用高于任何电压的最大额定
电压对这些高阻抗电路。在储存或处理，设备引线应短接在一起或设备
应放置在导电泡沫。在一个电路中，未使用的输入应始终连接到拨逻辑电压电平，
优选VCC或地。用于处理这种类型的设备的具体准则中包含的出版物
指南
处理静电放电敏感（ ESDS ）器件和组件
从德州仪器。
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标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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2000-2005年，德州仪器
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