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PIC18F2480/2580/4480/4580
2.2
2.2.1
电源引脚
去耦电容
2.2.2
槽路电容
去耦电容在每对使用
电源管脚，如V
DD
, V
SS
， AV
DD
和
AV
SS
，是必须的。
使用去耦时，需要考虑以下标准
电容器：
电容的值和类型：
A 0.1
μF
（ 100 NF） ，
10-20V电容建议。电容器
应该是一个低ESR装置，具有共振
频率在200兆赫或更高的范围内。
建议使用陶瓷电容。
放置在印刷电路板：
该
去耦电容应尽量靠近
到销地。建议
上放置的同一侧的电容器
板作为器件。如果空间有限，在
电容器可以被放置在所述另一层
采用PCB过孔;但是，需要确保跟踪
从引脚到电容长度不
大于0.25英寸（6毫米）。
处理高频噪声：
如果板
经历高频噪声（向上的
数十MHz ） ，添加一个陶瓷电容
器在平行于上述解耦
电容。所述第二电容器的值可以
在0.01的范围内
μF
0.001
μF.
把这个
第二电容靠近每个主去耦
电容。在高速电路设计中，考虑
让10对电容为
靠近电源和地引脚越好
（例如， 0.1
μF
与0.001并行
μF).
最大限度地提高性能：
在电路板布局
从电源电路中，需要将电源和
先返回痕迹的去耦电容，
然后到器件引脚。这确保了
去耦电容是第一次在电力产业链。
同样重要的是要保持的走线长度
电容和电源引脚之间
最低限度，从而降低PCB走线
电感。
板卡与电源走线运行时间超过
六英寸长度，建议使用一个罐capac-
itor集成电路，包括微控制器，以
提供本地电源。罐的值
电容器应根据跟踪判断
电阻的电力供给源连接
该设备，并通过引出的最大电流
装置中的应用。换句话说，选择坦克
电容器使其符合可接受的电压骤降
该设备。典型值的范围从4.7
μF
47
μF.
2.2.3
注意事项使用
BOR
当欠压复位（ BOR ）功能启用时，
在V的突然变化
DD
可能会导致自发
BOR事件。这可能发生在当微控制器
在正常操作条件下操作时，考虑以下各项
少了什么BOR设置点进行了编程
到，即使V
DD
不接近设定点。
在这些BOR事件的促发因素是上升或
爱上V
DD
与压摆率超过0.15V / s更快。
即采用适当的去耦应用程序
电源之间的电源将不会遇到这样的
快速的电压变化。另外，使用的
跨V的电解电容箱
DD
和V
SS
作为
如上所述，将有助于防止高转换
率转换。
如果应用程序有一个打开或关闭的组件，
并且共享相同的V
DD
电路的微控制器，
欠压复位可以通过使用被禁止的软件
SBOREN开关组件之前位。离职后
病房内，才允许重新启用BOR一个小的延迟。
通过这样做，可以确保BOR被禁止
这可能会导致高转换率的时间间隔内
V的变化
DD
.
注意：
不是所有器件均包含软件BOR
控制权。看
第5.0节“复位”
为
设备特定的信息。
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2009年Microchip的科技公司
